| 发明名称 | 光刻设备和器件制造方法 | ||
| 摘要 | 一种光刻投影设备的光学元件，包括Si/Mo多层结构、外覆盖层和位于多层结构和外覆盖层之间的夹层，其中夹层具有为入射光束波长的0.3倍和0.7倍之间的厚度。在第一实施例中，该夹层由选自C和Mo的材料构成，并且具有6.0nm和9.0nm之间的厚度。在第二实施例中，该夹层由紧邻多层结构的Mo内夹层和紧邻覆盖层的C外层构成。在第二实施例中，C夹层至少3.4nm厚，Ru覆盖层至少2.0nm厚。 | ||
| 申请公布号 | CN100495210C | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN03147022.X | 申请日期 | 2003.08.26 |
| 申请人 | ASML荷兰有限公司;卡尔蔡司SMT股份公司 | 发明人 | R·库尔特;A·E·I·亚斯欣 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G21K1/06(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 1. 一种光刻投影设备，包括：-辐射系统，用于提供辐射的辐射光束；-用于支撑构图装置的支撑结构，该构图装置用于根据所需图形对辐射光束进行构图；-用于保持基底的基底平台；-投影系统，用于将构图了的光束投射到基底的靶部上；和-至少一个光学元件，所述辐射光束入射到该光学元件上，所述至少一个光学元件具有一Si/Mo多层结构、一外覆盖层和一层位于所述多层结构和所述外覆盖层之间、由C或者Mo构成的夹层，其特征在于所述夹层具有6.0nm和9.0nm之间的厚度。 | ||
| 地址 | 荷兰维尔德霍芬 | ||