发明名称 阈值电压调制图像传感器
摘要 本发明提供一种图像传感器,具有多个像素,每个包含光电转换元件和阈值电压随该光电转换元件所产生的电荷而波动的检测晶体管。该图像传感器包括第二导电类型的屏蔽区和第一导电类型的光电转换区;链接到该光电转换区的第一导电类型的阱区;环形栅极;在该环形栅极内部的第二导电类型的源极区;第二导电类型的漏极区。该图像传感器还进一步包括势袋区,其形成在该环形栅极下面的阱区中并积聚电荷,其中,该栅宽在毗邻该光电转换区的部分处比其他部分窄。
申请公布号 CN100495712C 申请公布日期 2009.06.03
申请号 CN200410081945.7 申请日期 2004.12.21
申请人 富士通微电子株式会社 发明人 大川成实;浅野正义;野村俊雄
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 郑特强;张浴月
主权项 1. 一种图像传感器,具有多个像素,每个都包含光电转换元件和阈值电压随该光电转换元件所产生的电荷而波动的检测晶体管,其特征在于包含:第二导电类型的屏蔽区和在该屏蔽区下面的第一导电类型的光电转换区,它们构成该光电转换元件并形成在第一导电类型的衬底中;第一导电类型的阱区,形成在该衬底中并链接到该光电转换区;形成在该阱区上的环形栅极;第二导电类型的源极区,形成在该阱区中并在该环形栅极内部;第二导电类型的漏极区,毗邻并环绕该阱区形成,并在该环形栅极和该光电转换区的外部;以及用于积聚该电荷的势袋区,形成在该阱区中,并在该环形栅极下面,其中,该环形栅极位于源极区和光电转换区之间的第一部分的宽度形成为比该环形栅极位于源极区和位于光电转换区外部的部分之间的第二部分的宽度更窄。
地址 日本东京都