发明名称 |
具有平坦表面的多晶硅薄膜及其制造方法 |
摘要 |
一种具有平坦表面的多晶硅薄膜的制造方法,主要利用侧向长晶原理和激光方式将非晶硅区域熔融后结晶,再将结晶后所形成的多晶硅突起部分以激光熔融后再结晶,如此重复激光方式并步进整面基板以达到具有平坦表面的多晶硅薄膜。所制成的多晶硅薄膜包括多个侧向结晶生长的晶粒,和多个纳米级凹槽(nano-trenches),平行地形成于多晶硅薄膜的表面;且该些纳米级凹槽的一长轴方向大致上和该些晶粒的侧向结晶方向互相垂直。 |
申请公布号 |
CN100495721C |
申请公布日期 |
2009.06.03 |
申请号 |
CN200610081729.1 |
申请日期 |
2006.05.10 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
赵志伟;孙铭伟 |
分类号 |
H01L29/04(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B28/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯 宇 |
主权项 |
1. 一种多晶硅薄膜,利用激光退火方式形成于基板上,该多晶硅薄膜包括:多个侧向结晶生长的晶粒;和多个纳米级凹槽,平行地形成于该多晶硅薄膜的一表面,且该多个纳米级凹槽的一长轴方向和该多个晶粒的侧向结晶方向互相垂直;其中相邻的两个纳米级凹槽之间具有0.5μm~5μm的间距,该激光退火方式所使用的激光源,其10%能量到90%能量之间的一侧向距离大于该间距;其中该多晶硅薄膜的该表面的均方根粗糙度不超过5nm,且该多个纳米级凹槽的平均深度范围在-10nm~+10nm之间。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |