发明名称 半导体显示器件
摘要 本发明涉及一种半导体显示器件。本发明的目的是提供一种利用更有效地防止电介质击穿的保护电路的半导体显示器件。在本发明中,在形成覆盖用作保护电路的TFT的第一层间绝缘膜和形成覆盖在该第一层间绝缘膜之上形成的布线的作为绝缘覆盖膜的第二层间绝缘膜的情况下,用于将TFT连接到其它半导体元件的布线形成为与该第二层间绝缘膜的表面接触,以确保释放在该第二层间绝缘膜的表面中累积的电荷的路径。注意:用作保护二极管的TFT称为二极管式连接的TFT,其中第一端子或第二端子之一连接到栅电极。
申请公布号 CN101447492A 申请公布日期 2009.06.03
申请号 CN200810181667.0 申请日期 2004.10.28
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山崎舜平
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L27/15(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 张雪梅;王小衡
主权项 1. 一种半导体显示器件,包括:在衬底之上的像素部分,该像素部分包括第一薄膜晶体管和电连接到该第一薄膜晶体管的显示元件;在衬底之上的包括第二薄膜晶体管的驱动电路;在衬底之上的包括第三薄膜晶体管的保护电路;在第一、第二和第三薄膜晶体管之上的第一绝缘膜;在第一绝缘膜之上的第一布线,该第一布线将第二薄膜晶体管的第一端子和栅电极彼此电连接;在第一绝缘膜之上的第二布线,该第二布线电连接到第二薄膜晶体管的第二端子;在第一布线和第二布线之上的第二绝缘膜;以及在第二绝缘膜之上的第三布线,该第三布线电连接到第一布线和第二布线的其中之一。
地址 日本神奈川县厚木市