| 发明名称 | 空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置及方法 | ||
| 摘要 | 一种空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置，其特征在于，其中包括：一进气蓬头，该进气蓬头为桶形，该进气蓬头内分成多个区，每一个区都是原料气的进气喷口；一基座，该基座为柱状体，该基座的上面制作有多个圆形凹槽，该圆形凹槽用以放置衬底，该基座的直径小于或等于进气蓬头的直径，该基座可以旋转；其中进气蓬头位于基座具有圆形凹槽的表面的一侧，该进气蓬头与基座之间相隔有一距离，该进气蓬头靠近基座的一端为气体出口，远离基座的另一端为气体入口。 | ||
| 申请公布号 | CN101445955A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200710178282.4 | 申请日期 | 2007.11.28 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 朱建军;杨辉;王怀兵 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置，其特征在于，其中包括：一进气蓬头，该进气蓬头为桶形，该进气蓬头内分成多个区，每一个区都是原料气的进气喷口；一基座，该基座为柱状体，该基座的上面制作有多个圆形凹槽，该圆形凹槽用以放置衬底，该基座的直径小于或等于进气蓬头的直径，该基座可以旋转；其中进气蓬头位于基座具有圆形凹槽的表面的一侧，该进气蓬头与基座之间相隔有一距离，该进气蓬头靠近基座的一端为气体出口，远离基座的另一端为气体入口。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||