半导体存储器件

摘要

本发明提出一种半导体存储器件，包括源极、漏极、沟道区、控制栅、浮栅、源极多晶硅、字线，其中沟道区位于源极和漏极之间，源极多晶硅位于源极上方，字线位于沟道区上方，浮栅位于字线和源极多晶硅之间，控制栅位于浮栅上方，所述控制栅和字线之间具有绝缘介质层，所述绝缘介质层为氧化硅/氮化硅复合结构偏移式介质层。本发明提出的半导体存储器件，其能够减小控制栅和浮栅之间的长度差，提高控制栅和浮栅之间的耦合率，从而提高器件的性能。

主权项

1. 一种半导体存储器件，包括源极、漏极、沟道区、控制栅、浮栅、源极多晶硅、字线，其中沟道区位于源极和漏极之间，源极多晶硅位于源极上方，字线位于沟道区上方，浮栅位于字线和源极多晶硅之间，控制栅位于浮栅上方，其特征在于所述控制栅和字线之间具有绝缘介质层，所述绝缘介质层为氧化硅/氮化硅复合结构偏移式介质层。