| 发明名称 | 硅结晶化方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供用于制造结晶特性优异的多晶硅的硅结晶化方法。本发明的硅结晶化方法的特征在于，其包含(a)在非晶硅上配置金属催化剂的步骤、(b)在第1热处理温度下进行热处理的步骤、和(c)在第2热处理温度下进行热处理的步骤，其中，所述第1热处理温度低于所述第2热处理温度。 | ||
| 申请公布号 | CN101445958A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200810178337.6 | 申请日期 | 2008.11.28 |
| 申请人 | 泰拉半导体株式会社 | 发明人 | 张泽龙;李炳一;张锡弼 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈建全 |
| 主权项 | 1. 一种硅结晶化方法，其特征在于，其包含：(a)在非晶硅上配置金属催化剂的步骤；(b)在第1热处理温度下进行热处理的步骤；以及，(c)在第2热处理温度下进行热处理的步骤，其中，所述第1热处理温度低于所述第2热处理温度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||