| 发明名称 | 压缩性氮化物膜及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供了一种通过高密度等离子体沉积工艺形成压应力氮化物膜的方法，该膜覆盖在衬底上制作的多个p型场效应晶体管栅极结构上。实施例包括使用至少硅烷、氩和氮气的源气体产生填充高密度等离子体的环境；偏置所述衬底到不同密度的高频率功率，其范围从0.8W/cm<sup>2</sup>到5.0W/cm<sup>2</sup>；并且沉积高密度等离子体到多个栅极结构，从而形成压应力氮化物膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101449364A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200780018340.5 | 申请日期 | 2007.03.06 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 梁大源;李佑炯;速泰祺;王允愈 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;B05D3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张 波 |
| 主权项 | 1. 一种在衬底(10)上的至少一个栅极结构(12)上方形成压缩性氮化物膜层(51)的方法，所述方法包括：使用至少硅烷、氩和氮气生成高密度等离子体；偏置所述衬底(10)到至少0.8W/cm2的高频率功率密度；及沉积所述高密度等离子体到所述栅极结构(12)的顶部上，形成所述压缩性氮化物膜层(51)。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||