| 发明名称 | 电子设备及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能提高性能的电子设备及其制造方法。在电子设备(压电设备)(74)的制造方法中，在层积体(60)的电极膜(46A)上形成的压电体膜(52A)的外缘(R1)与电极膜(46A)的外缘(R2)相比为内侧。因此在从层积基板(61)去除单晶硅基板(14)时，在蚀刻液浸入聚酰亚胺(72)与层积体(60)之间的情况下，该蚀刻液到达压电体膜(52A)前会绕电极膜(46A)迂回。即，蚀刻液到达压电体膜(52A)的路径(A)因电极膜(46A)而有意延长。所以，在压电设备(74)的制造方法中，蚀刻液难以到达压电体膜(52A)。由此能够有意抑制压电体膜(52A)溶解，提高制作的压电设备(74)的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN100495754C | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200610058368.9 | 申请日期 | 2006.03.03 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 远池健一;宫崎雅弘;野口隆男;山崎宽史;海野健;佐佐木宏文 |
| 分类号 | H01L41/22(2006.01)I;H01L41/083(2006.01)I | 主分类号 | H01L41/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种电子设备的制造方法，其特征在于：是使用蚀刻液，从在基板上形成有应该成为电子设备的层积体的层积基板，将所述基板去除的电子设备的制造方法，包括：在所述基板上形成包括第一薄膜，和在所述第一薄膜上形成的、比所述第一薄膜更容易溶解于所述蚀刻液的第二薄膜的所述层积体的步骤；形成覆盖所述层积体的保护膜的步骤；和使用所述蚀刻液，将所述基板从所述层积基板去除的步骤，其中，在成膜所述层积体时，形成所述第二薄膜，使所述第二薄膜的外缘与所述第一薄膜的至少一部分的外缘相比为内侧。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||