| 发明名称 | 膜的形成方法、薄膜晶体管、太阳能电池、制造装置和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种膜的形成方法、薄膜晶体管、太阳能电池、制造装置和显示装置，其提高形成微晶膜的晶粒之间的横方向的结合强度。在硅基板G上形成栅极氧化膜10后，反复进行用2.0eV电子温度以下的高电子密度等离子体形成微晶硅膜的第一工序、和用比2.0eVd的电子温度高的电子温度的高电子密度等离子体形成超微晶硅膜的第二工序进行成膜。由此，形成微晶硅膜和超微晶硅膜叠层而得的叠层膜20。利用上述方法，能够制造将叠层膜20作为活性层发挥功能的n沟道薄膜晶体管和p沟道薄膜晶体管中的至少一种。 | ||
| 申请公布号 | CN101447419A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200810180735.1 | 申请日期 | 2008.11.28 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 冈信介 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0368(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种膜的形成方法，其是形成用于n沟道薄膜晶体管、p沟道薄膜晶体管和太阳能电池中至少一种的膜的方法，其特征在于，包括：利用规定的电子温度以下的高电子密度等离子体形成微晶硅膜的第一工序；使用比所述规定的电子温度高的电子温度的高电子密度等离子体形成超微晶硅膜的第二工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||