发明名称 |
氢传感器 |
摘要 |
一种氢传感器,在树脂等基板的表面形成薄膜层,进一步在该薄膜层的表面形成催化剂层。当该催化剂层与泄漏的氢气接触时则通过其催化剂作用而使薄膜层迅速地进行氢化作用,并使薄膜层的光反射率变化。该氢传感器具备:在基板与薄膜层之间或在催化剂层表面的任一侧或两侧形成的保护膜。 |
申请公布号 |
CN101449147A |
申请公布日期 |
2009.06.03 |
申请号 |
CN200780018403.7 |
申请日期 |
2007.02.23 |
申请人 |
株式会社渥美精机 |
发明人 |
内山直树;松本博幸;中林正刚 |
分类号 |
G01N21/77(2006.01)I;G01N31/00(2006.01)I;G01N31/22(2006.01)I;G01N21/47(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
岳雪兰 |
主权项 |
1、一种氢传感器,具有:基板、在该基板上形成的薄膜层、形成在该薄膜层的表面且利用环境中含有的氢气使所述薄膜层进行氢化作用而使所述薄膜层的光反射率变化的催化剂层,所述氢传感器的特征在于,具备:在所述基板与所述薄膜层之间或在所述催化剂层表面的任一侧或两侧形成的保护膜。 |
地址 |
日本静冈县 |