| 发明名称 | 一种制作异质结双极型晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作异质结双极型晶体管(HBT)的方法，包括：在清洗后的制作了部分或全部三台面HBT的圆片A的一面上涂覆粘附剂，利用粘附工艺将圆片A粘附到圆片B上；去掉圆片A的衬底，留下HBT和需要的半导体材料层；制作HBT集电极和金属互联。利用本发明，减小了HBT集电极的寄生电容，提高了器件性能，同时避免了类似工艺过程中对器件的损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN101447428A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200710178322.5 | 申请日期 | 2007.11.28 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 于进勇;刘新宇;金智;程伟;夏洋 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种制作异质结双极型晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：在清洗后的制作了部分或全部三台面异质结双极型晶体管HBT的圆片A的一面上涂覆粘附剂，利用粘附工艺将圆片A粘附到圆片B上；去掉圆片A的衬底，留下HBT和需要的半导体材料层；制作HBT集电极和金属互联。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||