| 发明名称 | 单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管材料结构，该结构由GaAs基MHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs基MHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层InP隔开；所述GaAs基MHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层GaAs、应变缓冲层In<sub>x</sub>Al<sub>1-x</sub>As、沟道下势垒层In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As、沟道层In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As、空间隔离层In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As、平面掺杂层、势垒层In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As和N型高掺杂盖帽层In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As构成；所述N型高掺杂腐蚀截止层InP在所述N型高掺杂盖帽层In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As上分子束外延生长而成；所述PIN二极管由在N型高掺杂腐蚀截止层InP上依次分子束外延生长的N型掺杂层In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As、不掺杂层In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As和P型掺杂层In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As构成。本发明将GaAs基MHEMT和PIN二极管集成在同一块衬底上，实现单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN101447484A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200710178311.7 | 申请日期 | 2007.11.28 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 徐静波;张海英;叶甜春 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种单片集成砷化镓GaAs基应变高电子迁移率晶体管MHEMT和PIN二极管材料结构，其特征在于，该结构由GaAs基MHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs基MHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层InP隔开；所述GaAs基MHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层GaAs、应变缓冲层InxAl1-xAs、沟道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺杂层、势垒层In0.52Al0.48As和N型高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成；所述N型高掺杂腐蚀截止层InP在所述N型高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As上分子束外延生长而成；所述PIN二极管由在N型高掺杂腐蚀截止层InP上依次分子束外延生长的N型掺杂层In0.53Ga0.47As、不掺杂层In0.53Ga0.47As和P型掺杂层In0.53Ga0.47As构成。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||