| 发明名称 |
SILICON LAYER HIGHLY SENSITIVE TO OXYGEN AND METHOD FOR OBTAINING SAME |
| 摘要 |
Cette couche (2), formée sur un substrat (4) par exemple en SiC, a une structure de surface 4.times.3. Pour l'obtenir, on dépose de façon sensiblement uniforme du silicium sur une surface du substra t. L'invention s'applique par exemple en microélec-tronique.
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| 申请公布号 |
CA2392445(C) |
申请公布日期 |
2009.06.02 |
| 申请号 |
CA20002392445 |
申请日期 |
2000.11.27 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
MAYNE, ANDREW;SOUKIASSIAN, PATRICK;BRYLINSKI, CHRISTIAN;DUJARDIN, GERALD;AMY, FABRICE;ENRIQUEZ, HANNA |
| 分类号 |
C30B29/06;H01L29/04;H01L21/04;H01L21/20;H01L21/203;H01L29/78 |
主分类号 |
C30B29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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