Verfahren zur Herstellung von isolierten integrierten Halbleiterstrukturen

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterstruktur in einem Bulk-Halbleiterwafer. Die Halbleiterstruktur umfasst eine erste und eine zweite komplementäre bipolare Transistorstruktur auf einem dotierten Halbleitersubstrat. Der Kollektor der ersten bipolaren Transistorstruktur besteht aus derselben Art Dotierstoff wie das dotierte Halbleitersubstrat, und der Kollektor der zweiten bipolaren Transistorstruktur besteht aus der entgegengesetzten Art Dotierstoff. Das Verfahren umfasst den Schritt des Bildens einer dotierten vergrabenen Zone unterhalb des Kollektors der ersten Transistorstruktur und einer dotierten Tankzone aus der entgegengesetzten Art Dotierstoff unterhalb der vergrabenen Zone in demselben ersten Photomaskierungsschritt. Ein weiterer Schritt besteht aus der Bildung einer dotierten vergrabenen Zone unterhalb des Kollektors der zweiten Transistorstruktur und einer dotierten Tankzone aus derselben Art Dotierstoff unterhalb der vergrabenen Zone in demselben zweiten Photomaskierungsschritt. Außerdem wird der zweite Maskierungsschritt dafür verwendet, eine dotierte vergrabene Zone unterhalb einer Kontaktsenke neben der ersten Transistorstruktur zu bilden und unterhalb der dotierten vergrabenen Zone eine dotierte Tankzone aus derselben Art Dotierstoff zu bilden, welche die dotierte Tankzone der ersten Transistorstruktur berührt. Entsprechend wird kein zusätzlicher Photomaskierungsschritt benötigt, um die dotierte ...