发明名称 |
利用硫属元素和金属间材料的半导体层高生产量形成 |
摘要 |
公开一种利用含硫属元素的蒸气形成半导体前体层的高生产量方法。在一种实施方案中,所述方法包括形成包含任何形状的IB族和/或IDA族颗粒的前体材料。该方法可以包括在衬底表面上形成前体材料的前体层。该方法可以进一步包括在基本上无氧的硫属元素气氛中加热颗粒前体材料至足以使颗粒反应并且从硫属元素化物颗粒中释放硫属元素的处理温度,其中该硫属元素呈液体形式而且充当助熔剂以改善元素混合从而形成期望化学计量比的IB-IIIA族硫属元素化物膜。硫属元素气氛可以提供大于或等于处理温度下前体层中的液体硫属元素的蒸气压的分压。 |
申请公布号 |
CN101443130A |
申请公布日期 |
2009.05.27 |
申请号 |
CN200780014658.6 |
申请日期 |
2007.02.23 |
申请人 |
耶罗恩·K·J·范杜伦;克雷格·R·莱德赫尔姆 |
发明人 |
耶罗恩·K·J·范杜伦;克雷格·R·莱德赫尔姆;马修·R·鲁滨逊 |
分类号 |
B05D3/00(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0336(2006.01)I |
主分类号 |
B05D3/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
李 帆 |
主权项 |
1. 一种方法,其包含:在衬底上形成前体层;和在一个或多个步骤中使该前体层反应以形成吸收层。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |