| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：制备步骤，制备半导体基板，所述半导体基板包括多个半导体芯片形成区域和设置在所述多个半导体芯片形成区域之间并包括基板切割位置的划线区域；半导体芯片形成步骤，在所述多个半导体芯片形成区域上形成具有电极焊盘的半导体芯片；第一绝缘层形成步骤，在半导体芯片和半导体基板的划线区域上形成第一绝缘层；第二绝缘层形成步骤，在所述第一绝缘层的除与所述基板切割位置相对应的区域以外的部分上形成第二绝缘层；以及切割步骤，在所述基板切割位置处切割所述半导体基板。 | ||
| 申请公布号 | CN101441992A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200810180956.9 | 申请日期 | 2008.11.20 |
| 申请人 | 新光电气工业株式会社 | 发明人 | 山野孝治;町田洋弘 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;彭 会 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体器件的方法，包括：制备步骤，制备半导体基板，所述半导体基板包括：多个半导体芯片形成区域，和划线区域，其设置在所述多个半导体芯片形成区域之间并包括基板切割位置；半导体芯片形成步骤，在所述多个半导体芯片形成区域上形成具有电极焊盘的半导体芯片；第一绝缘层形成步骤，在所述半导体芯片和所述半导体基板的所述划线区域上形成第一绝缘层；第二绝缘层形成步骤，在所述第一绝缘层的除与所述基板切割位置相对应的区域以外的部分上形成第二绝缘层；以及切割步骤，在所述基板切割位置处切割所述半导体基板。 | ||
| 地址 | 日本长野县 | ||