| 发明名称 | SONOS存储管的器件结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SONOS存储管的器件结构，在衬底中部上设置有栅氧化层，所述栅氧化层上方设置有选择管，所述栅氧化层和选择管的两侧分别设置有缺口向外的“L”形ONO层，所述ONO层的缺口位置设置有存储管，在所述两个存储管和ONO层的外侧的衬底上，一侧设置源极，另一侧设置漏极。本发明还公开了一种制作上述SONOS存储管器件结构的方法，利用侧墙刻蚀来形成SONOS存储管，并且同时形成双比特的SONOS存储单元，其制作方法步骤简单，易于实现，并且使得SONOS存储管所占用的存储单元的面积大大减小，提高了器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101442076A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200710094270.3 | 申请日期 | 2007.11.23 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 孙亚亚 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/792(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1. 一种SONOS存储管的器件结构，其特征在于，在衬底中部上设置有栅氧化层，所述栅氧化层上方设置有选择管，所述栅氧化层和选择管的两侧分别设置有缺口向外的“L”形ONO层，所述ONO层的缺口位置设置有存储管，在所述两个存储管和ONO层的外侧的衬底上，一侧设置源极，另一侧设置漏极。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||