包括导电凸起的微电子器件及其制备方法

摘要

涉及管芯封装的方法、技术和结构。在一个典型实现中，管芯封装互连结构包括半导体衬底以及与所述半导体衬底接触的第一导电层。该第一导电层可包括基极层金属(230)。所述基极层金属可包括Cu。该典型实现还包括与所述第一导电层接触的扩散阻挡物(225)以及在所述扩散阻挡物之上的润湿层。凸起层(215)可位于所述润湿层之上，其中所述凸起层包括Sn并且Sn可被电镀。此外，所述扩散阻挡物还适于抑制凸起层中类晶须的形成。

主权项

1. 一种包括导电凸起的微电子装置，包括：半导体衬底；与所述半导体衬底接触的第一导电层，所述第一导电层包括基极层金属，所述基极层金属包括Cu；与所述第一导电层接触的扩散阻挡物；在所述扩散阻挡物之上的并包括CoB和NiP之一的润湿层；以及与所述润湿层接触的凸起层，所述凸起层包括Sn，其中所述扩散阻挡物配置成防止Cu和Sn扩散通过所述扩散阻挡物以及防止装置中的CuSn金属间化合物形成。