发明名称 用于离子注入系统的离子束入射角度检测器
摘要 本发明通过在离子注入过程中通过入射离子束角度检测器监控和修正角度误差而有利于半导体器件的制造。此外,本发明通过在进行离子注入工艺之前相对于入射离子束校准工艺圆盘而不测量晶片上的注入结果而有利于半导体器件的制造。
申请公布号 CN100492584C 申请公布日期 2009.05.27
申请号 CN200480009348.1 申请日期 2004.03.31
申请人 艾克塞利斯技术公司 发明人 R·里斯;M·格拉夫;T·帕里尔;B·弗里尔
分类号 H01J37/317(2006.01)I;H01J27/24(2006.01)I 主分类号 H01J37/317(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 廖凌玲
主权项 1、一种离子注入系统的终端站,包括:被构造以容纳一个或多个离子束角度检测器的工艺腔;和可围绕一个或多个轴进行调节且被构造以容纳一个或多个晶片的工艺支承结构,其中每个所述离子束角度检测器包括安装在所述工艺支承结构上的射束区分结构。
地址 美国马萨诸塞州