| 发明名称 | 访问相变存储器 | ||
| 摘要 | 一种存储器(100)，包括相变存储元件(130)以及串联连接的第一(125)和第二(120)选择器件。第二选择器件(120)具有比第一选择器件(125)更高的阻抗和更大的阈值电压。在一个实施例中，第一选择器件可以具有基本上等于其保持电压的阈值电压。在一些实施例中，选择器件(120、125)以及存储元件(130)可以由硫族化合物制成。在一些实施例中，选择器件(120、125)可以由非可编程硫族化合物制成。具有更高的阈值电压的选择器件会对组合带来更低的漏电流，但也会增大骤回。这种增大的骤回可以由具有较低阈值电压的选择器件抵消，从而在一些实施例中得到具有较低漏电流和较高性能的组合。 | ||
| 申请公布号 | CN100492540C | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200580017632.8 | 申请日期 | 2005.06.24 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 沃德·帕金森;查尔斯·丹尼森;斯蒂芬·郝金斯 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王 英 |
| 主权项 | 1. 一种存储装置，包括相变存储元件；串联连接的第一选择器件；以及串联连接的第二选择器件，所述第二选择器件比所述第一选择器件具有更高的阻抗和更大的阈值电压。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||