处理半导体衬底的方法

摘要

根据具体实施方式，公开了一种处理半导体衬底的方法，从而减薄衬底，并且通过普通的工艺将衬底上形成的小片分成单个。在衬底的背侧上形成沟槽区(42、43)。对背侧的各向异性蚀刻导致了衬底减薄同时保持沟槽深度，从而便于将管芯分成单个。

主权项

1. 一种处理半导体衬底的方法，包括：在半导体衬底背侧上形成掩模层；在掩模层中形成沟槽，掩模层中的沟槽限定了将由半导体衬底形成的小片的位置；在掩模层中形成沟槽之后，蚀刻掩模层和半导体衬底以同时移除掩模层和在半导体衬底中形成沟槽区；和在蚀刻掩模层之后，从半导体衬底的背侧蚀刻以同时减薄半导体衬底并将半导体衬底分成多个管芯，该方法还包括：在蚀刻掩模层之前，在半导体衬底前侧上附加操作衬底。