| 发明名称 | 功率金属氧化物半导体场效应晶体管触点金属化 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种结构，优选地包括形成在基板中的半导体器件；邻接于半导体器件的绝缘体；电耦合于半导体器件的电触点，其中，电触点优选地包括钨；以及，耦合于电触点的电连接器，其中，电连接器优选地包括铝。绝缘体的表面和电触点的表面优选地形成基本平坦的表面。 | ||
| 申请公布号 | CN101443889A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200780017243.4 | 申请日期 | 2007.05.11 |
| 申请人 | 维西埃-硅化物公司 | 发明人 | 罗纳德·旺格;贾森·奥伊;凯尔·特里尔;陈阔因 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 杨 梧 |
| 主权项 | 1. 一种制造包括半导体器件的结构的方法，所述方法包括：在包括绝缘体和邻接于所述绝缘体的接触区的不平坦的表面上沉积第一金属化层；以及蚀刻所述第一金属化层，以在所述接触区中形成电触点，其中，所述绝缘体的表面和所述电触点的表面形成基本平齐的表面。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||