| 发明名称 | 抗蚀剂膜剥离方法、掩膜基板的制造方法及转印掩膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供对于在基板上形成了成为转印图案的转印图案用薄膜和抗蚀剂膜的掩模基板能仅剥离抗蚀剂膜而再利用转印图案用薄膜和基板的抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法以及转印掩模的制造方法。其采用以下构成：对于在基板(11)上形成了遮光膜(12)以及曝光、显影前的抗蚀剂膜(14)的掩模基板(1)，当出现抗蚀剂膜(14)的膜厚不均大等不良现象时，或者因在掩模基板(1)的状态下长期保存而使抗蚀剂膜(14)的灵敏度发生变化时，进行使抗蚀剂膜(14)与臭氧水接触而将抗蚀剂膜(14)剥离的臭氧水处理。并且，再次形成抗蚀剂膜(14)，再利用基板(11)和遮光膜(12)。 | ||
| 申请公布号 | CN101443886A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200780017495.7 | 申请日期 | 2007.05.29 |
| 申请人 | HOYA株式会社 | 发明人 | 堀井克彦;浅川敬司 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F1/08(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1. 一种抗蚀剂膜剥离方法，其中从下述的掩模基板将抗蚀剂膜剥离，所述掩模基板具有基板、形成于该基板上的成为转印图案的转印图案用薄膜和形成于该转印图案用薄膜上的抗蚀剂膜，其特征在于，进行使臭氧溶解而成的臭氧水与所述抗蚀剂膜接触而使该抗蚀剂膜溶解的臭氧水处理， | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||