一种通过测量晶片上的参考图形从而控制晶片刻蚀时间的方法

摘要

一种通过测量晶片上的参考图形从而控制晶片刻蚀时间的方法，包括以下步骤：1，测量晶片上的参考图形在刻蚀前的厚度尺寸；2，根据上步中的尺寸和目标厚度尺寸之间的差值和刻蚀时间之间的线性关系，确定刻蚀时间；和步骤3，刻蚀机台根据步骤第二步中得到的数据对硅片的刻蚀时间进行控制。本发明可以实现自动对每批每次的晶片进行测量，计算，得出刻蚀时间，从而可以自动控制单片晶片的刻蚀时间，减少了刻蚀误差。

主权项

1. 一种通过测量晶片上的参考图形从而控制晶片刻蚀时间的方法，其特征在于包括以下步骤：A：测量晶片上的参考图形在刻蚀前的厚度尺寸；B：根据步骤A中的尺寸和目标厚度尺寸之间的差值和刻蚀时间之间的线性关系，确定刻蚀时间；C：刻蚀机台根据步骤B中得到的数据对硅片的刻蚀时间进行控制。