| 发明名称 | 提高闪存介质读写速度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种提高闪存介质读写速度的方法，包括步骤：计算偏移量；根据偏移量对数据操作进行偏移处理；执行数据操作。本发明提供的提高闪存介质读写速度的方法能根据文件系统(例如fat16，fat32，ntfs等)把闪存介质的最小写入单位页与文件系统的最小写入单位簇对齐，让每个簇由多个页组成，实现对闪存介质读写数据时，明显提高读写速度，特别是写的速度，并且避免大量碎片的产生，而无需改变闪存介质硬件结构，也无需改变文件系统，易于实现。 | ||
| 申请公布号 | CN101441596A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200710187526.5 | 申请日期 | 2007.11.21 |
| 申请人 | 深圳市朗科科技股份有限公司 | 发明人 | 万红波 |
| 分类号 | G06F12/02(2006.01)I | 主分类号 | G06F12/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 胡海国;王艳春 |
| 主权项 | 1. 一种提高闪存介质读写速度的方法，包括步骤：计算偏移量；根据偏移量对数据操作进行偏移处理；执行数据操作。 | ||
| 地址 | 518057广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼6楼 | ||