发明名称 超薄、大尺寸、高硅硅钢片电子束物理气相沉积制备方法
摘要 超薄、大尺寸、高硅硅钢片电子束物理气相沉积制备方法,本发明涉及一种硅钢片制备方法,它解决了现有的硅钢片不能产业化生产的问题。方法如下:在真空的环境内,利用电子束作为热源,轰击高硅硅钢片的原料,使高硅硅钢片的原料熔化为蒸汽状态,然后蒸汽状态的高硅硅钢片原料沉积到基板上,得到高硅硅钢片板材,把高硅硅钢片板材从基板上揭下来即可。本发明的方法能通过控制各组成材料蒸发的速度精确控制成品板材的成分和所制备成品板材的厚度,各种材料在蒸汽状态下进行原子级混合,因此成分均匀。而且沉积速率高,由于本发明的方法工作效率高,制备过程的工艺参数容易控制,产品的质量容易得到保证,因此极其适合产业化应用。
申请公布号 CN100491585C 申请公布日期 2009.05.27
申请号 CN200610009613.7 申请日期 2006.01.10
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 赫晓东;李垚;李晓;孙跃
分类号 C23C14/30(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;C21D1/26(2006.01)I;C21D11/00(2006.01)I 主分类号 C23C14/30(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人 牟永林
主权项 1、一种超薄、大尺寸、高硅硅钢片电子束物理气相沉积制备方法,其特征在于它通过下述步骤实现:一、制备高硅铁合金铸锭作为高硅硅钢片的原料,然后把高硅铁合金铸锭进行1000-1200℃的扩散退火处理,使高硅铁合金铸锭中硅的成分均匀;二、把高硅铁合金铸锭放入坩埚内,并在铸锭上表面上放置难熔的金属铌或金属钨和硅,使高硅铁合金铸锭上表面受电子束轰击时形成富硅的“热池”,在另一个坩埚内放置CaF2粉末并压实;三、安装基板,调整基板与高硅铁合金铸锭的上表面间距离在300-500mm之间,用丙酮擦洗基板的下表面,密封真空室;四、真空室内抽真空;五、使基板在其自身的平面内绕自身的中心线旋转,同时加热基板到500-800℃,;六、用电子枪产生的电子束先蒸发坩埚内的CaF2粉末,从而在基板的下表面上形成一层5-10μm的CaF2涂层,用于剥离后续沉积在基板上的高硅硅钢片板材;七、用挡板挡住基板的下表面,用1.8-2.5A的电子束流,轰击高硅铁合金铸锭的上表面,开始蒸发高硅铁合金铸锭,持续10-20分钟后,打开挡板,铁硅合金蒸汽沉积到基板的下表面形成板材;八、剥离板材。
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