| 发明名称 | 高结晶品质的合成金刚石 | ||
| 摘要 | 本发明涉及单晶CVD金刚石材料，其中在大于0.014cm<sup>2</sup>的面积上由X-射线形貌术表征的扩展缺陷密度小于400/cm<sup>2</sup>。本发明还涉及制备根据前述权利要求中任一项的CVD单晶金刚石材料的方法，该方法包括选择在其上生长CVD单晶金刚石的衬底的步骤，其中该衬底具备下面中的至少一项：在大于0.014cm<sup>2</sup>的面积上由X-射线形貌术表征的扩展缺陷密度小于400/cm<sup>2</sup>；在大于0.1mm<sup>3</sup>的体积上光学各向同性小于1×10<sup>-5</sup>；和对于(004)反射的FWHM X-射线摇摆曲线宽度小于20弧秒。 | ||
| 申请公布号 | CN101443476A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200680050560.1 | 申请日期 | 2006.12.08 |
| 申请人 | 六号元素技术（控股）公司 | 发明人 | D·J·特维切;G·C·萨默顿;I·弗里尔;J·O·汉森;K·B·盖;M·P·高克罗吉;P·M·玛丁内奥;R·C·伯恩斯;S·C·罗森;T·P·G·艾迪森 |
| 分类号 | C23C16/27(2006.01)I;C30B25/20(2006.01)I;C30B29/04(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/27(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李 帆 |
| 主权项 | 1. 单晶CVD金刚石材料，其中在大于0.014cm2的面积上以X-射线形貌术表征的扩展缺陷密度小于400/cm2。 | ||
| 地址 | 南非斯普林斯 | ||