用于高密度静态随机存取存储器的偏压技术

摘要

根据一个实施例，本发明公开了一种存储器单元。存储器单元包括第一PMOS晶体管，耦合到所述第一PMOS晶体管的第一NMOS晶体管，第二PMOS晶体管和耦合到第二PMOS晶体管的第二NMOS晶体管。第一和第二PMOS晶体管接收偏压控制信号。

主权项

1. 一种存储器单元，包括：第一P型金属氧化物半导体晶体管；耦合到所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的第一N型金属氧化物半导体晶体管；耦合到所述第一P型金属氧化物半导体晶体管和所述第一N型金属氧化物半导体晶体管之间的第一存储节点；第二P型金属氧化物半导体晶体管；耦合到所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的第二N型金属氧化物半导体晶体管；和耦合到所述第二P型金属氧化物半导体晶体管和所述第二N型金属氧化物半导体晶体管之间的第二存储节点；所述第一P型金属氧化物半导体晶体管和所述第二P型金属氧化物半导体晶体管接收偏压控制信号，每当所述存储器单元工作在备用模式中时，所述偏压控制信号总是向所述第一P型金属氧化物半导体晶体管和所述第二P型金属氧化物半导体晶体管传送正向偏压。