| 发明名称 | 具有垂直势垒的肖特基二极管 | ||
| 摘要 | 一种具有垂直于半导体芯片的表面延伸的垂直势垒的肖特基二极管，包括一方面与半导体芯片的衬底接触、具有形成肖特基势垒的插入界面，另一方面与放射状延伸的导电指状物接触的垂直的中心金属导体。 | ||
| 申请公布号 | CN100492667C | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200510121579.8 | 申请日期 | 2005.12.23 |
| 申请人 | ST微电子公司 | 发明人 | 弗雷德里克·拉努瓦;西尔万·尼佐 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 康建忠 |
| 主权项 | 1. 一种具有垂直于半导体芯片的表面延伸的垂直势垒的肖特基二极管，包括垂直的中心金属导体(31)，所述垂直的中心金属导体一方面通过与衬底形成肖特基势垒的插入界面层(39)与半导体芯片的衬底(33)接触，另一方面与垂直于所述垂直的中心金属导体延伸的导电指状物(36)接触。 | ||
| 地址 | 法国蒙鲁日 | ||