| 发明名称 | 半导体器件制备工艺中硅片平衡的检测装置及方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制备工艺中硅片平衡的检测装置，包括：在被检测的工艺设备单元中的硅片上方设置一个信号发射装置和一个信号接收装置，信号发射装置向硅片表面发射入射信号，信号接收装置设置在入射信号经水平硅片反射后的路径上，用于接收入射信号经硅平面反射后的反射信号。本发明还公开了一种基于上述装置的检测方法，包括：信号发射装置向硅片表面发射入射信号；信号接受装置接收反射信号；根据反射信号的强度判断硅片位置是否平衡。本发明实现了半导体器件制备工艺中对硅片位置是否平衡的动态监控，提高了半导体器件制备工艺效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101442017A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200710094246.X | 申请日期 | 2007.11.19 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 宁开明 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G03F7/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周 赤 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件制备工艺中硅片平衡的检测装置；其特征在于，包括：在被检测的工艺设备单元中的硅片上方设置一个信号发射装置和一个信号接收装置，所述的信号发射装置向所述的硅片表面发射入射信号，所述的信号接收装置设置在所述入射信号经水平硅片反射后的路径上，用于接收所述入射信号经所述硅片表面反射后的反射信号。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||