一种立方氮化硼薄膜n型掺杂的方法

摘要

本发明是一种立方氮化硼(c-BN)薄膜n型掺杂的方法，该方法具体包括首先利用离子束辅助沉积(Ion Beam Assisted Depostion，IBAD)方法制备高质量的c-BN薄膜，然后依次注入不同能量(50，80及100keV)的硫(S)离子(总剂量为5×10¹⁴cm^-2)进入c-BN薄膜，最终实现c-BN薄膜的n型掺杂。该方法对c-BN薄膜的生长设备没有特殊要求，具有掺杂剂量和掺杂的深度可以精确控制、成本低、方法简便、使用广泛、可移植性好等优点。

主权项

1. 一种立方氮化硼薄膜n型掺杂的方法，其特征在于，材料的制备方法包括：1)采用离子束辅助沉积在衬底上沉积制备立方氮化硼薄膜；2)采用高能离子注入的方式将硫离子注入到立方氮化硼薄膜内部；3)采用热退火来消除损伤并激活杂质，从而实现对立方氮化硼薄膜的n型掺杂。