| 发明名称 | 等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种蚀刻方法，该方法即使在处理大型玻璃基板的情况下，也能够得到氮化硅膜相对于含有高熔点金属材料的源极-漏极电极的充分的蚀刻选择比。通过使用含有CF<sub>4</sub>和O<sub>2</sub>的处理气体进行等离子体蚀刻处理，一次形成贯通钝化膜(108)和栅极绝缘膜(103)、到达栅极电极(102)的孔(111)，和贯通钝化膜(108)、到达漏极电极(107)的孔(112)。栅极绝缘膜(103)相对于漏极电极(107)表面的Mo层(107c)以高的蚀刻选择比被蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN100492601C | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200610146815.6 | 申请日期 | 2006.11.24 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 谷口谦介;吹野康彦 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种等离子体蚀刻方法，其特征在于：在等离子体处理装置的处理室内，使用含有CF4和O2的处理气体的等离子体，对形成有薄膜晶体管的被处理体进行蚀刻处理，该薄膜晶体管具有包含高熔点金属材料膜的栅极电极、包含高熔点金属材料膜的源极-漏极电极和在所述栅极电极上形成且由氮化硅构成的栅极绝缘膜，对所述栅极电极和所述源极-漏极电极上层的氮化硅膜进行蚀刻，一次形成分别到达所述栅极电极和所述源极-漏极电极的多个深度不同的接触孔，所述栅极绝缘膜相对于所述源极-漏极电极的蚀刻选择比为10以上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||