发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 本发明提供一种内置与外部热隔离的半导体元件的半导体器件及其制造方法。在本发明的半导体器件(100)包括:载置在支承衬底(11)的表面的半导体元件(16);覆盖支承衬底(11)的表面以密封半导体元件(16)的外壳材料(12);将延伸到外部的外部端子(18)和半导体元件(16)电连接的作为连接部件的金属细线(15);以及通过与半导体元件(16)的侧面接触,将半导体元件(16)机械地固定在支承衬底上的作为固定部的框架材料(14)。
申请公布号 CN100492619C 申请公布日期 2009.05.27
申请号 CN200410071244.5 申请日期 2004.07.16
申请人 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 发明人 范合公;坪野谷诚;涩泽克彦;加藤隆规
分类号 H01L23/12(2006.01)I;H01L23/02(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H05K1/00(2006.01)I;H01S5/022(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 主分类号 H01L23/12(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 马 莹;邵亚丽
主权项 1、一种半导体器件,其特征在于,包括:载置于支承衬底的表面的半导体元件;覆盖所述支承衬底的表面以密封所述半导体元件的外壳材料;将延伸到外部的外部端子与所述半导体元件电连接的连接部件;以及通过接触所述半导体元件的侧面,将所述半导体元件机械地固定在支承衬底上的固定部。
地址 日本大阪府