生长应变层的方法

摘要

公开了一种在Si衬底(10)上形成应变Si层(16)的方法，包括在Si衬底(10)上形成第一SiGe缓冲层(12)。然后，使用离子注入将非晶化掺杂剂注入到第一SiGe缓冲层，以使第一SiGe缓冲层成为非晶的。在退火之后，在第一SiGe缓冲层上生长第二SiGe缓冲层(14)。这产生了弛豫的SiGe层(12，14)。然后生长应变Si层(16)。

主权项

1. 一种制造半导体器件的方法，包括：在结晶Si衬底(10)上形成第一SiGe缓冲层(12)，以形成具有第一SiGe缓冲层上的第一主表面、以及第一SiGe缓冲层和Si衬底之间的SiGe/Si边界的中间半导体阶段；采用非晶化掺杂剂，对中间半导体阶段的第一主表面进行注入，以使第一SiGe缓冲层成为非晶的，非晶化掺杂剂使中间半导体阶段从第一主表面向衬底远到范围末端区域成为非晶的，该范围末端区域具有较高的缺陷密度，并且位于较低缺陷密度的结晶区域的上方，其中，在低于100℃的温度进行非晶化注入；在范围末端区域上方再生长第一SiGe缓冲层，以形成弛豫的SiGe层。