| 发明名称 | 砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，该结构由在砷化镓衬底上依次生长的晶格应变层In<sub>x</sub>Al<sub>1-x</sub>As、沟道下势垒层In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As、沟道层In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As、空间隔离层In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As、平面掺杂层、第一势垒层In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As、第一腐蚀截止层InP、第二势垒层In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As、第二腐蚀截止层InP和高掺杂盖帽层In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As构成。利用本发明，达到了在同一块GaAs衬底上同时制备增强型和耗尽型MHEMT器件和电路的目的，并提高了MHEMT器件功率性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101442070A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200710177794.9 | 申请日期 | 2007.11.21 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 徐静波;张海英;叶甜春 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种高速砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，其特征在于，该结构由在砷化镓衬底上依次生长的晶格应变层InxAl1-xAs、沟道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺杂层、第一势垒层In0.52Al0.48As、第一腐蚀截止层InP、第二势垒层In0.52Al0.48As、第二腐蚀截止层InP和高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||