| 发明名称 | 存储器操作方法 | ||
| 摘要 | 一种存储器的操作方法，该操作方法包括下列步骤：首先，提供一存储器，存储器包括一电荷储存结构。接着，注入第一型电荷至电荷储存结构内，使存储器的阈值电平高于一擦除电平。然后，注入第二型电荷至电荷储存结构，使存储器的阈值电平低于一设定位电平。接着，注入第一型电荷至电荷储存结构内，使存储器的阈值电平趋近于或等于设定位电平。 | ||
| 申请公布号 | CN101441895A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200810080532.5 | 申请日期 | 2008.02.21 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 郭明昌 |
| 分类号 | G11C16/34(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种存储器的操作方法，其特征在于，该方法包括：A、提供一存储器，该存储器包括一电荷储存结构；B、注入第一型电荷至该电荷储存结构内，使该存储器的阈值电平高于一擦除电平；C、注入第二型电荷至该电荷储存结构内，使该存储器的阈值电平低于一设定位电平；以及D、注入第一型电荷至该电荷储存结构内，使该存储器的阈值电平趋近于或等于该设定位电平。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||