具有场整形区的半导体器件

摘要

一种具有pn结(101)的半导体器件，例如二极管(200)，该器件具有毗邻且有可能桥接该pn结的绝缘材料场整形区(201)。场整形区(201)优选具有高介电常数并通过电容性电压耦合区(204，205)被耦合到与pn结上所施加电压基本相同的电压。当在pn结(101)上施加反向电压且器件不导通时，在场整形区的一部分上存在电容性电场，该场整形区延伸超出pn结耗尽区的边界，在没有场整形区(201)时存在该边界，该场整形区中的电场感应出展宽的电场，该展宽的电场限于相应展宽的pn结耗尽区(208，209)，进而获得器件的增强的反向击穿电压。

主权项

1. 一种半导体器件(200)，包括半导体区域，该半导体区域具有形成pn结(101)的p型半导体区域和n型半导体区域以及毗邻p型半导体区域和n型半导体区域中的仅一个的用以提高器件的反向击穿电压的场整形区(201)，其中，场整形区(201)是绝缘材料并从第一电容性电压耦合区延伸到第二电容性电压耦合区，提供这两个电容性电压耦合区以在使用中施加与施加到pn结上的电压基本相同的电压，场整形区(201)的材料和电容性耦合使得：当在pn结(101)上施加反向电压且器件不导通时，在场整形区的一部分中存在电容性电场，该电容性电场延伸超过pn结耗尽区的边界(108、109)，所述边界在没有该场整形区时存在，该场整形区中的该电场感应出限于半导体区域中的相应展宽的pn结耗尽区(208，209)的展宽的电场。