| 发明名称 | 一种可提高抛光性能的多晶硅抛光方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种可提高抛光性能的多晶硅抛光方法，该多晶硅淀积在用于制作非易失性存储器的硅衬底上，该硅衬底包含浅槽隔离结构以及通过该浅槽隔离结构分隔开的存储阵列区和外围控制电路区，该多晶硅用于充当存储阵列区的浮栅。现有技术中仅通过化学机械抛光粗抛工艺抛光多晶硅以在存储阵列区形成浮栅，而易在外围控制电路区的多晶硅上产生凹陷缺陷且在存储阵列区和浅槽隔离结构上产生多晶硅残留。可提高抛光性能的本发明首先在该多晶硅上淀积辅助氧化层；接着依次进行化学机械抛光的粗抛工艺和细抛工艺。采用本发明可大大提高多晶硅的抛光性能，进而大大提高非易失性存储器的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101439492A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200710170744.8 | 申请日期 | 2007.11.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 黎铭琦;蒋 莉;邵 颖;邹陆军 |
| 分类号 | B24B29/00(2006.01)I;B24B37/04(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | B24B29/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈 蘅;李时云 |
| 主权项 | 1、一种可提高抛光性能的多晶硅抛光方法，该多晶硅淀积在用于制作非易失性存储器的硅衬底上，该硅衬底包含浅槽隔离结构以及通过该浅槽隔离结构分隔开的存储阵列区和外围控制电路区，该多晶硅用于充当存储阵列区的浮栅，其特征在于，该多晶抛光方法包括以下步骤：a、在该多晶硅上淀积辅助氧化层；b、进行化学机械抛光粗抛工艺；c、进行化学机械抛光细抛工艺。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||