| 发明名称 | 一种低热阻发光二极管芯片的结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种低热阻发光二极管芯片的结构及其制作方法，包括完成电极制作的含p、n电极，半导体外延层和蓝宝石衬底的LED发光芯片，沉积在减薄后的蓝宝石衬底的底面的金属反光层，其特征在于，所述芯片进一步包括：(a)低热阻散热基片，其尺寸比LED发光芯片大；(b)低热阻散热基片上沉积的焊料，其还与金属反光层底面连接。低热阻散热基片为LED发光芯片面积的2到25倍。本发明可以增加LED发光芯片工作时散热通道的面积，显著降低LED发光芯片及其封装后器件的热阻，减少LED器件光衰和漏电流，提高器件寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN101442099A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200810236736.3 | 申请日期 | 2008.12.09 |
| 申请人 | 武汉华灿光电有限公司 | 发明人 | 刘 榕;董彬忠 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 | 代理人 | 朱必武;周 瑾 |
| 主权项 | 1、一种低热阻发光二极管芯片的结构，包括完成电极制作的含p、n电极，半导体外延层和蓝宝石衬底的LED发光芯片，沉积在减薄后的蓝宝石衬底的底面的金属反光层，其特征在于，所述芯片进一步包括：(a)低热阻散热基片，其尺寸比LED发光芯片大；(b)低热阻散热基片上沉积的焊料，其还与金属反光层底面连接。 | ||
| 地址 | 430223湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号 | ||