| 发明名称 | 硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硬掩膜层的形成方法，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成初始硬掩膜层；对所述初始硬掩膜层进行等离子体处理，形成硬掩膜层。本发明还对应公开了应用该硬掩膜层进行刻蚀的方法。采用本发明的硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法，不仅可以形成质量较好的光刻图形，提高刻蚀的质量。还可以提高光刻或刻蚀后图形关键尺寸的一致性。 | ||
| 申请公布号 | CN101441996A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200710170950.9 | 申请日期 | 2007.11.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 安辉 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种硬掩膜层的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成初始硬掩膜层；对所述初始硬掩膜层进行等离子体处理，形成硬掩膜层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||