发明名称 一种在金属有机化学气相沉积中降低接触电阻的方法
摘要 本发明提供一种在金属有机化学气相沉积中降低接触电阻的方法,该方法包括氮化钛沉积的步骤;该方法氮化钛在沉积过程中分为厚度均等的N层,但总厚度保持与现有技术中氮化钛应有的厚度不变,分别针对每层进行金属有机化学气相沉积并用电浆轰击,N大于等于2。本发明揭示的在金属有机化学气相沉积中降低接触电阻的方法,通过把沉积氮化钛分为多层分别沉积,并分别用电浆轰击;由于每层的氮化钛较薄,因而可以更有效地除去有机物、碳、氧、氢等不纯物质,从而可以在保障底层器件不被更大损伤的基础上降低接触电阻。
申请公布号 CN101442021A 申请公布日期 2009.05.27
申请号 CN200710170622.9 申请日期 2007.11.19
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 胡宇慧;苏娜;陈国海;杨瑞鹏
分类号 H01L21/768(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 王 洁
主权项 1、一种在金属有机化学气相沉积中降低接触电阻的方法,该方法包括氮化钛沉积的步骤;其特征在于,该方法氮化钛在沉积过程中分为N层,分别针对每层氮化钛层进行金属有机化学气相沉积并用电浆轰击,N大于等于2;所述方法包括以下步骤:A、提供第一层氮化钛层;B、针对上述第一层氮化钛层进行氮化钛金属有机化学气相沉积;C、用电浆对步骤B中沉积后的氮化钛层轰击,驱除该层氮化钛层中的杂质;D、提供第二层氮化钛层,按照步骤B及C的方法对该第二层氮化钛层进行沉积及沉积后的驱除杂质过程;E、按照步骤D的方法,依次提供并处理各层氮化钛层,直至完成第N层的沉积及除杂。
地址 201203上海市浦东新区张江路18号