衬底处理装置及衬底处理方法

摘要

本发明公开了一种衬底处理装置和衬底处理方法。衬底处理装置包括：能够减压的反应室、具有形成有通孔(10)、(11’)、(11)的气体扩散板(9)且将处理气体供到反应室内部的喷头以及用以设置衬底的衬底支承部。设在气体扩散板(9)的周边区域的通孔(11’)、(11)，其入口部分的面积大于出口部分的面积。因为若使用该装置，便能将处理气体均匀地供到气体扩散板内，所以能够均匀地进行膜沉积、膜蚀刻等衬底处理。因此，提供的是一种能够在晶片面内均匀地进行衬底处理的衬底处理装置及衬底处理方法。

主权项

1. 一种衬底处理装置，包括：利用处理气体来处理衬底的反应室，具有形成有用以让所述处理气体通过的多个通孔的板状气体扩散板，将所述处理气体供到所述反应室内部的喷头，以及设在所述反应室内、以面对所述气体扩散板的状态设置所述衬底的衬底支承部，其特征在于：所述多个通孔形成于所述气体扩散板的中央区域和包围所述中央区域的所述气体扩散板的周边区域，所述多个通孔中设在所述气体扩散板的中央区域的每一个通孔，形成为所述处理气体的入口部分的面积与所述处理气体的出口部分的面积相等的柱状，形成于所述气体扩散板的周边区域的所述多个通孔的每一个，所述处理气体的入口部分的面积大于所述处理气体的出口部分的面积。