发明名称 |
等离子处理装置 |
摘要 |
在腔室(1)上部的开口部配置有由微波驱动并产生电磁场的天线部(3),在天线部(3)的下部设置有密封腔室(1)的开口部的顶板(4),在顶板(4)的下表面一侧设置有环形的突条(41),其径向的厚度以锥形连续变化,从而在等离子的任意条件下均可以在某处产生共振。由此,仅准备一种顶板就可以起到与准备各种厚度的顶板相同的效果,可以使等离子的吸收率显著提高,并且从高压至低压均可以稳定地产生等离子。 |
申请公布号 |
CN100492591C |
申请公布日期 |
2009.05.27 |
申请号 |
CN200480025471.2 |
申请日期 |
2004.09.03 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
野泽俊久;石桥清隆 |
分类号 |
H01L21/205(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I;C23C16/511(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
柳春雷 |
主权项 |
1. 一种等离子处理装置,其包括:等离子发生室,其收存被处理衬底,并产生等离子;天线,其配置在所述等离子发生室上部的开口部,并由微波驱动而产生电磁场;顶板,其设置在所述天线的下部,且密封所述等离子发生室的开口部;其中,所述顶板在其下表面一侧由于凹凸形状而包括壁厚薄的部分和壁厚厚的部分,所述壁厚薄的部分的厚度被选为λ/4±λ/8,所述凹凸形状的凸部包括在所述顶板的下表面上形成为环形的突条。 |
地址 |
日本东京都 |