| 发明名称 | 图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种图像传感器包括：半导体衬底，形成于半导体衬底中的光电二极管，在半导体衬底中形成的并与光电二极管隔开的第三杂质区，在半导体衬底中形成的并与第三杂质区隔开的第四杂质区，在光电二极管和第三杂质区之间的半导体衬底上方形成的第一栅极，在第三杂质区和第四杂质区之间的半导体衬底上方形成的第二栅极，在第四杂质区和第二栅极的第一侧壁上方形成的隔离体，以及在光电二极管、第一栅极、第三杂质区以及第二栅极的第二侧壁和部分最上表面上方形成的绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101442065A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200810173597.4 | 申请日期 | 2008.11.10 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 沈喜成 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L27/148(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张 英 |
| 主权项 | 1. 一种图像传感器，包括：半导体衬底；光电二极管，所述光电二极管形成于所述半导体衬底中并包括第一杂质区和第二杂质区；第三杂质区，形成在所述半导体衬底中并与所述第一杂质区和所述第二杂质区隔开；第四杂质区，形成在所述半导体衬底中并与所述第三杂质区隔开；第一栅极，形成于所述光电二极管和所述第三杂质区之间的所述半导体衬底上方；第二栅极，形成于所述第三杂质区和所述第四杂质区之间的所述半导体衬底上方；隔离体，形成于所述第四杂质区和所述第二栅极的第一侧壁上方；以及绝缘膜，形成于所述光电二极管、所述第一栅极、所述第三杂质区和所述第二栅极的第二侧壁和部分最上表面上方。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||