| 发明名称 | 带有多晶硅晶粒的硅化物源极/漏极电极 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，其包括用于晶体管(105)的源极/漏极电极(100)。源极/漏极电极(100)包含位于源极/漏极区(115)上方的多个多晶硅晶粒(110)。金属硅化物层(120)共形地涂覆所述多个多晶硅晶粒。本发明还阐述一种制作所述器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101443901A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200580046467.9 | 申请日期 | 2005.11.16 |
| 申请人 | 德州仪器公司 | 发明人 | 马希德·M·曼苏瑞;克里斯托夫·沃斯休伯 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方;刘国伟 |
| 主权项 | 1、一种包括用于晶体管的源极/漏极电极的半导体器件，其包括：多个多晶硅晶粒，其位于源极/漏极区上方；及金属硅化物层，其共形地涂覆所述多个多晶硅晶粒。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||