用硅湿法刻蚀和键合工艺制备相变存储器的方法

摘要

本发明涉及一种用低温键合和硅湿法刻蚀工艺制作相变随机存储器，其工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积30nm Ti或TiN，100nm的Pt或Au。(2)将(100)硅片清洗干净，然后再与步骤(1)中的Pt或Au键合，再将键合之后的(100)硅片进行减薄和抛光。(3)在硅片上热氧化出SiO₂，在SiO₂上光刻成图形然后刻蚀掉图形下SiO₂。(4)用刻蚀液对(100)硅片刻蚀，形成V型结构。(5)对形成的V型干氧氧化。(6)沉积相变材料，用化学机械抛光去除V型结构以外的相变材料。(7)再次光刻，沉积顶电极。在微米级的加工工艺条件下，实现了纳米相变存储器的单元器件。测试结果表明，单元器件的阈值电压电流都达到了实现可逆相变的目的。

主权项

1、一种用硅湿法刻蚀和键合工艺制作相变随机存储器的方法，其特征在于制作的工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积20～50nm Ti或TiN和100nm的Pt或Au；(2)将(100)硅片清洗干净，然后再与步骤(1)中的Pt或Au键合，再将键合之后的(100)硅片先进行减薄，然后化学机械抛光；(3)在抛光后的硅片上热氧化出SiO2，在SiO2上光刻成图形然后刻蚀掉图形下SiO2；(4)用刻蚀液对(100)硅片刻蚀，形成V型结构；(5)对形成的V型结构干氧氧化；(6)沉积相变材料，用化学机械抛光去除V型结构以外的相变材料；(7)再次光刻，沉积顶电极。