发明名称 |
晶体管用外延晶片及晶体管 |
摘要 |
本发明研究的目的是降低n型InGaAs非合金层的电阻。在半绝缘性GaAs衬底(1)上,顺次形成n型次集电极层(2)、n型集电极层(3)、p型基极层(4)、n型发射极层(5)和n型InGaAs非合金层(10),n型InGaAs非合金层10由In组分不均匀n型InGaAs渐变层(10a)(不均匀组分层)和其上的In组分均匀的n型InGaAs均匀组分层(9)所构成。渐变层(10a)由In组分低的第一渐变层(7)(第一层)和In组分高于第一层的第二渐变层(8)构成,第一渐变层(7)中,为了抑制该In组分的C(碳)的背景浓度,且为了在掺杂Se作为n型掺杂剂时得到更高的载流子浓度,而掺杂了Si。 |
申请公布号 |
CN100492659C |
申请公布日期 |
2009.05.27 |
申请号 |
CN200610167018.6 |
申请日期 |
2006.12.13 |
申请人 |
日立电线株式会社 |
发明人 |
守谷美彦 |
分类号 |
H01L29/73(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/73(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 |
代理人 |
钟 晶 |
主权项 |
1. 晶体管用外延晶片,其特征为,具有:衬底;在所述衬底上顺次形成的n型集电极层、p型基极层及n型发射极层;以及,n型InGaAs非合金层,所述n型InGaAs非合金层由In组分不均匀的n型InGaAs不均匀组分层和设置在所述n型InGaAs不均匀组分层之上的、In组分均匀的n型InGaAs均匀组分层构成,所述In组分不均匀的n型InGaAs不均匀组分层设置在所述发射极层之上;所述n型InGaAs不均匀组分层是由掺杂了Si的第一层,和在所述第一层之上设置的掺杂了Si以外的n型掺杂剂且In组分比第一层高的第二层构成。 |
地址 |
日本东京都 |