| 发明名称 | 作为高K SiO<sub>2</sub>栅极叠层上的热稳定P型金属碳化物的TiC | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种包括TiC的金属化合物及制造TiC金属化合物的方法，其中该金属化合物是功函数在约4.75与约5.3之间、优选约5eV的p型金属，其在包括高k介质和界面层的栅极叠层上热稳定。另外，本发明的TiC金属化合物在1000℃时是非常有效的氧扩散阻挡，并且在p型金属氧化物半导体(pMOS)器件中允许非常活跃的等效氧化物厚度(EOT)和反型层厚度范围在14以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101443918A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200580046522.4 | 申请日期 | 2005.12.02 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | A·C·卡勒伽里;M·A·格里伯佑;D·L·拉赛;F·R·麦克菲力;K·L·森格尔;S·扎法尔 |
| 分类号 | H01L29/94(2006.01)I;H01L29/76(2006.01)I;H01L31/062(2006.01)I;H01L31/113(2006.01)I;H01L31/119(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/94(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于 静;刘瑞东 |
| 主权项 | 1. 一种半导体结构，包括：半导体衬底；所述半导体衬底上的界面层；所述界面层上的高k介质；以及所述高k介质上的TiC栅极金属。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||