发明名称 |
氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 |
摘要 |
本发明提出了一种在氧化硅上制备低阻碳化硅的方法。本发明主要包括:(1)在衬底上生长氧化硅层;(2)在氧化硅上采用低压化学气相沉积方法生长碳化硅。碳化硅生长采用乙烯(或丙烷)和硅烷作为源气体,优化生长条件得到良好形貌的碳化硅层。同时采用原位掺杂的方法降低碳化硅的电学电阻,N型掺杂源气体为氨气或氮气,P型掺杂源气体为硼烷或三甲基铝。采用优化的生长条件在氧化硅上获得低阻且表面平整光滑的碳化硅膜层。该发明的材料结构可以用于微纳机械系统(MEMS和NEMS)中。碳化硅作为MEMS结构材料层,其优越的性能使得器件可以应用于高温以及抗腐蚀等恶劣环境中;碳化硅高的杨氏模量可以大大提高谐振器及滤波器的谐振频率,应用于射频通信系统中。 |
申请公布号 |
CN101440481A |
申请公布日期 |
2009.05.27 |
申请号 |
CN200710177782.6 |
申请日期 |
2007.11.21 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
赵永梅;孙国胜;宁瑾;王亮;刘兴昉;赵万顺;王雷;李晋闽;曾一平 |
分类号 |
C23C16/30(2006.01)I;C23C16/32(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/30(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1. 一种氧化硅上制备低阻碳化硅的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)在衬底(11)上淀积氧化硅层(12);2)在氧化硅(12)上淀积碳化硅层(13)。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |